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DD3 de 4 Gigas, adelanto en memorias RAM | Noticias de santander, colombia y el Mundo

2009-02-15 05:00:00

DD3 de 4 Gigas, adelanto en memorias RAM

Samsung Electronics,  fabricante mundial en tecnología de memorias, anunció esta semana que ha realizado un adelanto significativo en su esfuerzo por lograr chips con mayor capacidad de memoria, al desarrollar el primer chip Dram DDR3 de 4GB del mundo, utilizando tecnología de proceso de 50 namómetros (nm).
DD3 de 4 Gigas, adelanto en memorias RAM

Dado que cada vez son más los centros de datos que buscan reducir la cantidad de servidores que utilizan el desarrollo de un DDR3 de 4Gb de bajo consumo, se ha convertido en un elemento esencial para reducir los costos de centros de datos, y así mejorar el tiempo de gestión de servidores e incrementar la eficiencia general.

Para la nueva generaci√≥n de servidores ¬ďverdes¬Ē, la alta densidad del chip DDR3 de 4Gb combinada con su menor nivel de consumo de energ√≠a, no s√≥lo proporcionar√° una reducci√≥n en los montos de las facturas de electricidad, sino que tambi√©n posibilitar√° recortes en cargos por financiaci√≥n, gastos de mantenimiento y gastos por reparaciones relacionados con generadores de energ√≠a y equipos que emiten calor.

¬ĒHemos aprovechado nuestra destreza en innovaci√≥n para desarrollar el primer chip DDR3 de 4Gb, y as√≠ conducir a la industria a mayores densidades de DRAM¬Ē, expres√≥ Kevin Lee, Vicepresidente, Marketing T√©cnico, Samsung Semiconductor, Inc. ¬ďPor medio del dise√Īo de nuestro chip DDR3 de 4Gb con tecnolog√≠a de vanguardia de 50 nm, estamos preparando el terreno para lo que en definitiva resultar√° en reducciones de costos significativas para los servidores y para el mercado de la inform√°tica en general¬Ē, agreg√≥.

El chip DDR3 de 4Gb puede producirse en m√≥dulos duales de memoria en l√≠nea, registrados¬† (RDIMM) de 16GB para servidores, as√≠ como en m√≥dulos duales de memoria en l√≠nea, sin b√ļfer (UDIMM) de 8GB para estaciones de trabajo y computadoras de escritorio, y en m√≥dulos duales de memoria en l√≠nea, de contorno peque√Īo (SODIMM) de 8 GB para computadores port√°tiles.

Mediante la aplicaci√≥n de la tecnolog√≠a de paquetes de doble n√ļcleo, este nuevo dispositivo puede brindar m√≥dulos de hasta 32GB, ofreciendo el doble de capacidad que los m√≥dulos de memoria basados en la mayor densidad de chips anterior, que era de 2Gb.

Dise√Īado para que sea de bajo consumo, el chip DRAM DDR3 de 4Gb funciona a 1,35 voltios (V), lo cual mejora su rendimiento en un 20 por ciento con respecto a los chips DDR3 de 1,5V. Su velocidad m√°xima es de 1,6GB por segundo (Gbps).

En configuraciones de módulos de 16GB, los chips DDR3 de 4Gb pueden consumir 40 por ciento menos energía que los chips DDR3 de 2Gb, debido a su mayor densidad y porque solamente utilizan la mitad de la memoria DRAM (32 chips contra 64).

Por medio de una agresiva conversión a la producción con tecnología de 50 nm, para lograr unidades DDR3 de mayor densidad, Samsung intenta continuar siendo el líder indiscutible en memorias DRAM de alta capacidad y alto rendimiento.

En septiembre de 2008, Samsung anunció el desarrollo de la primera memoria DRAM DDR3 de 2Gb de 50 nm del mundo. Ahora, sólo cinco meses después, ha establecido la línea de productos DDR3 de alto rendimiento más amplia de la industria.

Dado que los pron√≥sticos indican que la capacidad de memoria por servidor se duplicar√° cada dos a√Īos, se espera que el desarrollo de las memorias DRAM de alta densidad, contin√ļe evolucionando en forma proporcional, expandi√©ndose a otras aplicaciones tales como computadoras port√°tiles y PCs.

De acuerdo con la empresa de an√°lisis e investigaci√≥n de mercado International Data Corporation (IDC), el mercado mundial de DRAMs DDR3 constituir√° el 29 por ciento del mercado total de DRAMs en el 2009 y el 75 por ciento en el a√Īo 2011. Adem√°s, IDC estima que las DRAMs DDR3 de 2Gb o superiores conformar√°n el tres por ciento del mercado total de DRAMs en el 2009 y el 33 por ciento en el 2011 (unidades en bits).

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