domingo 15 de febrero de 2009 - 10:00 AM

DD3 de 4 Gigas, adelanto en memorias RAM

Samsung Electronics,  fabricante mundial en tecnología de memorias, anunció esta semana que ha realizado un adelanto significativo en su esfuerzo por lograr chips con mayor capacidad de memoria, al desarrollar el primer chip Dram DDR3 de 4GB del mundo, utilizando tecnología de proceso de 50 namómetros (nm).

Dado que cada vez son más los centros de datos que buscan reducir la cantidad de servidores que utilizan el desarrollo de un DDR3 de 4Gb de bajo consumo, se ha convertido en un elemento esencial para reducir los costos de centros de datos, y así mejorar el tiempo de gestión de servidores e incrementar la eficiencia general.

Para la nueva generación de servidores 'verdes', la alta densidad del chip DDR3 de 4Gb combinada con su menor nivel de consumo de energía, no sólo proporcionará una reducción en los montos de las facturas de electricidad, sino que también posibilitará recortes en cargos por financiación, gastos de mantenimiento y gastos por reparaciones relacionados con generadores de energía y equipos que emiten calor.

'Hemos aprovechado nuestra destreza en innovación para desarrollar el primer chip DDR3 de 4Gb, y así conducir a la industria a mayores densidades de DRAM', expresó Kevin Lee, Vicepresidente, Marketing Técnico, Samsung Semiconductor, Inc. 'Por medio del diseño de nuestro chip DDR3 de 4Gb con tecnología de vanguardia de 50 nm, estamos preparando el terreno para lo que en definitiva resultará en reducciones de costos significativas para los servidores y para el mercado de la informática en general', agregó.

El chip DDR3 de 4Gb puede producirse en módulos duales de memoria en línea, registrados  (RDIMM) de 16GB para servidores, así como en módulos duales de memoria en línea, sin búfer (UDIMM) de 8GB para estaciones de trabajo y computadoras de escritorio, y en módulos duales de memoria en línea, de contorno pequeño (SODIMM) de 8 GB para computadores portátiles.

Mediante la aplicación de la tecnología de paquetes de doble núcleo, este nuevo dispositivo puede brindar módulos de hasta 32GB, ofreciendo el doble de capacidad que los módulos de memoria basados en la mayor densidad de chips anterior, que era de 2Gb.

Diseñado para que sea de bajo consumo, el chip DRAM DDR3 de 4Gb funciona a 1,35 voltios (V), lo cual mejora su rendimiento en un 20 por ciento con respecto a los chips DDR3 de 1,5V. Su velocidad máxima es de 1,6GB por segundo (Gbps).

En configuraciones de módulos de 16GB, los chips DDR3 de 4Gb pueden consumir 40 por ciento menos energía que los chips DDR3 de 2Gb, debido a su mayor densidad y porque solamente utilizan la mitad de la memoria DRAM (32 chips contra 64).

Por medio de una agresiva conversión a la producción con tecnología de 50 nm, para lograr unidades DDR3 de mayor densidad, Samsung intenta continuar siendo el líder indiscutible en memorias DRAM de alta capacidad y alto rendimiento.

En septiembre de 2008, Samsung anunció el desarrollo de la primera memoria DRAM DDR3 de 2Gb de 50 nm del mundo. Ahora, sólo cinco meses después, ha establecido la línea de productos DDR3 de alto rendimiento más amplia de la industria.

Dado que los pronósticos indican que la capacidad de memoria por servidor se duplicará cada dos años, se espera que el desarrollo de las memorias DRAM de alta densidad, continúe evolucionando en forma proporcional, expandiéndose a otras aplicaciones tales como computadoras portátiles y PCs.

De acuerdo con la empresa de análisis e investigación de mercado International Data Corporation (IDC), el mercado mundial de DRAMs DDR3 constituirá el 29 por ciento del mercado total de DRAMs en el 2009 y el 75 por ciento en el año 2011. Además, IDC estima que las DRAMs DDR3 de 2Gb o superiores conformarán el tres por ciento del mercado total de DRAMs en el 2009 y el 33 por ciento en el 2011 (unidades en bits).

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